天眼查App顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司于2024年12月4日公開了一項重要的發明專利，專利名稱為“半導體結構及其制備方法”，專利號為CN202411766745.9。該專利由朱小鋒發明，華進聯合專利商標代理有限公司代理。

該專利涉及一種半導體結構及其制備方法，主要包括提供襯底、形成第一介質層、形成第一通孔、形成犧牲層、形成第二介質層、形成第二通孔以及去除犧牲層等步驟。通過兩步通孔形成刻蝕通孔，該技術有效防止了現有技術中由于高深寬比和刻蝕的微負載效應而出現的通孔底部沒打開或者通孔內導線的電阻偏大的問題。

該專利的意想不到的效果是確保通孔底部被完全打開，降低通孔內導線的電阻，避免形成寄生電容，從而提高器件的性能。這一創新技術有望在半導體制造領域帶來顯著的技術進步和應用前景。

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