天眼查App顯示，北京憶芯科技有限公司于2023年6月29日申請了一項名為“NVMe控制器的NVMe寫IO發起電路”的發明專利，并于2024年12月31日公開。該專利涉及存儲技術領域，特別是針對NVMe控制器的寫IO發起電路進行了創新設計。

該專利的核心技術包括DMA命令生成電路和存儲命令生成電路。DMA命令生成電路與DMA傳輸電路耦合，能夠基于接收到的尋址信息生成DMA命令，指示從主機內存到存儲設備緩存的數據搬移。存儲命令生成電路則與DMA傳輸電路和存儲命令處理單元耦合，在接收到DMA命令處理完成的消息后，生成存儲命令，指示從存儲設備緩存到閃存的數據搬移。

該技術的亮點在于其獨立于CPU的硬件電路設計，將生成DMA命令的任務從CPU卸載，從而顯著減輕了CPU的負擔，提升了存儲設備的整體性能。這一創新不僅提高了數據傳輸效率，還為未來存儲技術的發展提供了新的思路。

北京憶芯科技有限公司位于北京市海淀區，是一家專注于存儲技術研發的高科技企業。此次專利的公開，標志著該公司在存儲技術領域的技術積累和創新能力得到了進一步體現。

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