天眼查App顯示，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司于2024年9月29日公開(kāi)了一項(xiàng)名為“一種IGBT器件的制造方法”的發(fā)明專利，專利號(hào)為CN202411371344.3。該專利由劉偉、王鵬飛、陳鑫和劉磊共同發(fā)明，屬于IGBT器件技術(shù)領(lǐng)域。

該專利的核心技術(shù)在于通過(guò)傾斜和垂直的離子注入工藝，減少了制造過(guò)程中的光刻工藝次數(shù)，從而顯著降低了IGBT器件的制造成本。具體步驟包括在n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成第一溝槽、N離子注入?yún)^(qū)、n型電荷存儲(chǔ)區(qū)、n型源區(qū)，以及通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)工藝形成第一柵極和第二溝槽，最終在第二溝槽形成第二柵極，并在n型半導(dǎo)體層內(nèi)形成p型體區(qū)。

蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司位于江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)，此次專利的公開(kāi)標(biāo)志著該公司在IGBT器件制造技術(shù)領(lǐng)域取得了重要突破。該專利的公開(kāi)日期為2024年12月31日，預(yù)計(jì)將對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

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