天眼查App顯示，近日，中芯國際集成電路制造（北京）有限公司與中芯國際集成電路制造（上海）有限公司聯合申請的一項名為“半導體結構及其形成方法”的發明專利正式公開，專利號為CN202310779118.8。該專利涉及一種新型半導體結構，旨在提升閃存器件的性能穩定性。

根據專利摘要，該半導體結構包括襯底，襯底分為存儲區和邏輯區。存儲區上設有相互分立且成對存在的存儲柵結構，成對的存儲柵結構之間具有第一開口，暴露出至少部分浮柵的側壁表面。浮柵內設有離子摻雜區，第一開口暴露出該離子摻雜區。此外，第一開口暴露出的浮柵表面以及控制柵表面還設有隧穿介質層，邏輯區表面則設有柵極氧化層。

該專利通過優化存儲區與邏輯區的結構設計，有效減少了邏輯運算器件的氧化工藝對閃存器件的影響，減少了結構缺陷，從而提升了閃存器件的性能穩定性。這一技術突破有望為未來半導體器件的設計與制造提供新的思路。

據悉，該專利的公開日期為2024年12月31日，目前處于公開狀態。中芯國際作為國內領先的集成電路制造企業，此次專利的公開進一步彰顯了其在半導體技術領域的創新能力。

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